三星HBM5散热技术曝光 铜基HPB助力2028量产

《科创板日报》6月2日讯 —— 在Computex 2026展台上，三星电子正式发布了两项核心成果：第八代HBM5存储芯片，以及专属的“散热王牌”——HPB（Heat Pass Block）导热块技术方案。

据海外媒体报道，这款HBM5预计将基于三星自研的2nm制程工艺制造，量产节点瞄准2028年。而HPB正是该方案中绕不开的散热核心组件。

HPB本质上是一种集成在芯片封装内部的金属导热结构，材料以铜基为主。相较于传统聚合物基材，其导热性能直接跨越两到三个数量级，提升幅度约在500至1000倍之间。

三星电子CTO宋载赫在展会现场打了一个形象的比方：这相当于给芯片内部安装了一个专属的“烟囱”，专门用于排出热量。温度降下来后，系统运行自然会更加稳定。他强调，这项技术对下一代HBM在高带宽、高密度的AI应用场景中至关重要，直接决定了整体系统的能效与稳定性。

值得一提的是，HPB技术并非凭空而来。三星此前已在Exynos 2600处理器上完成了实装验证，结果相当硬核——散热性能直接提升了30%。这意味着HPB的潜力远不止于HBM，它完全有能力渗透至移动处理器市场。

两大方案落地，散热赛道各展绝技

当前AI基础设施对散热的需求已进入白热化阶段，存储领域的散热技术也在快速迭代。就在三星发布HPB的同时，竞争对手SK海力士同样没有停下脚步。

5月26日，SK海力士拿出了自己的方案——iHBM。其核心是在HBM封装内部集成名为“ICE”的一体化冷却元件，同样瞄准HBM5及后续产品。SK海力士特别强调，这套方案与客户现有的SiP系统级封装环境高度兼容，客户无需大幅修改设计即可直接部署。

问题来了：三星与SK海力士为何不约而同地死磕HBM散热？答案就藏在架构本身。HBM5在架构设计上追求更高的速率与更大的数据吞吐量，但代价是发热量随之飙升。尤其是负责与GPU通信的D2D PHY单元，几乎成了芯片内部的“火焰山”。而无论是HPB还是iHBM，它们的精妙之处都在于：直接在D2D PHY区域开辟一条独立的散热路径，让热流快速导出，从而降低热阻，增强系统稳定性。

散热技术的集体升级也意味着HBM的供货局势短期内不会松动。根据TrendForce集邦咨询的最新研究，三大原厂的HBM合约价采用年度议价机制，很难及时反映季度价格波动。眼下，买卖双方已开始就2027年的HBM4供应展开谈判。TrendForce的判断相当直白：基于DRAM供不应求的局面，以及新旧HBM世代本身极高的制造难度与成本压力，三大原厂大概率会在2027年大幅上调报价。

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