纳微半导体凭AI电源技术暴涨,强势切入黄仁勋概念链
摘要
纳微半导体与英伟达MGX生态系统合作,股价创历史新高。其800V直降6V电源分配板采用自研氮
先看几组关键数据。当地时间6月3日,纳微半导体正式宣布与英伟达MGX生态系统达成合作,全力加速800伏直流AI基础设施建设。消息一出,公司股价应声大涨19.26%,一举创下上市以来的历史新高。过去一年,纳微半导体的股价累计涨幅已超过三倍,总市值目前稳定在72.08亿美元。再往回看,该公司2026财年第一季度的营收达到860万美元,同样超出了市场预期。

这里的MGX到底是什么来头?简单来说,它是英伟达面向新一代AI工厂打造的标准化模块化整机架参考架构与开放产业生态,也是当前英伟达推进800VDC高压直流数据中心落地的底层硬件标准。毫不夸张地讲,这个生态覆盖了算力、供电、散热、网络的全链条。而纳微半导体正是通过切入这一生态系统,正式进入了英伟达的AI供应链。双方的合作范围也不局限在某个单一环节,而是覆盖从Rubin Ultra平台到“Kyber”机架级系统的完整供电方案。
具体的落地产品已经在5月29日的COMPUTEX 2026上亮相——一块800V至6V直流-直流电源分配板(PDB)。这块板子就是专为英伟达新一代AI数据中心800 VDC机架架构量身打造的,核心目标就是提升系统效率与功率密度。
这块板子最大的看点是,它彻底省去了传统的48V中间总线转换模块。怎么做到的?靠的是16颗自研的GaNFast氮化镓芯片直接完成800V直降6V的转换。峰值供电效率达到了97.5%,功率密度更是冲到了2100W/立方英寸。更有意思的是,这块板子的厚度比智能手机还要薄两成左右,能够直接紧贴GPU布设,大幅缩减布线损耗和机房占用空间。
这套方案对AI电力系统的支撑作用相当关键。800VDC架构本身就能降低线缆铜耗、压缩配电成本,而纳微半导体的氮化镓+碳化硅方案则是整套高压配电落地不可或缺的硬件基础。要知道,巨型AI工厂里动辄成千上万个GPU集群同时运行,瞬时功耗的波动非常大,供电损耗也是个绕不开的痛点。纳微的方案正好能帮助数据中心压缩配电综合能耗,适配吉瓦级AI算力园区的规模化落地需求。
纳微半导体首席执行官Chris Allexandre也坦言,随着AI工作负载持续扩展,电力传输已经成为构建下一代吉瓦级AI工厂最关键的挑战之一。这句话确实点出了当前行业的核心矛盾。
纳微半导体本身专注于氮化镓和碳化硅第三代功率半导体,产品广泛应用于AI电源领域,能够提供从电网接入到芯片的完整供电方案。可以说,它是AI浪潮中“电力革命”这一细分赛道的代表性企业。
有一个数据值得注意:AI工作负载对电力的需求将达到传统计算的100到1000倍,这对供电架构提出了前所未有的挑战。正是看到了这一点,纳微半导体正在从传统的消费电子与移动市场,加速转向高增长、高利润的高功率应用领域,包括AI数据中心、能源与电网基础设施。
技术细节方面,其GaNFast氮化镓技术实现了800V直降6V的降压转换,消除了中间48V总线转换器环节,目标峰值效率达到97.5%,功率密度高达2100W/in³。而在碳化硅方向上,该公司的GeneSiC解决方案支持从电网到AI计算机架的高效电力传输,涵盖采用2300V和3300V SiC功率模块的固态变压器,以及基于第五代技术1200V SiC MOSFET的高功率三相电源供应单元。
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