SK海力士HBM 5性能榜单：深度评测与对比

SK海力士近期公布了一项硬核创新——在高带宽存储器（HBM）封装内部直接嵌入冷却元件，从物理层面压制发热瓶颈。

据SK海力士官方25日披露，该技术命名为“iHBM”，核心是将名为“ICE”的集成冷却元件嵌入HBM封装。ICE采用高导热率且完全绝缘的硅基材料，相当于在封装内部开辟出一条专属散热通道。

核心矛盾在于：AI计算负载持续飙升，HBM正向更高堆叠层数与更快传输速率演进。性能拉满的同时，发热量同步攀升。尤其HBM基片与AI芯片之间的“D2D PHY”接口，其散热控制已成为下一代HBM竞争的关键战场。谁能有效解决散热难题，谁就握住了下一代存储解决方案的门票。

SK海力士的解法是：直接在PHY部分内部楔入ICE，让热量获得定向逃逸路径。测试数据显示，相比传统方案，该设计使热阻降低30%以上。即便在高温高负载的极端工况下，芯片也能保持稳定运行，不掉速、不降频。

量产层面同样具备竞争力。SK海力士表示，iHBM完全可基于已通过市场验证的MR-MUF工艺实现大规模制造。由于iHBM与客户现有系统封装环境高度兼容，下游厂商几乎无需额外设计改动即可直接适配。这种“即插即用”的兼容性，对存储控制器与AI加速器厂商而言极具吸引力。

按规划，SK海力士将率先在HBM5等下一代产品中落地iHBM技术。目标明确：在AI数据中心、高性能计算等散热敏感场景中，显著提升散热管理水平，同时增强系统稳定性与运行效率。

SK海力士副总裁李康旭在新闻稿中强调：“iHBM是一种将存储器设计能力与先进封装技术深度融合的散热解决方案。”从本质上看，这是将工艺与材料两端积累的成果聚合，构建出短期内难以被复制的技术壁垒。用他的话说，此举旨在“进一步巩固在AI存储器领域的领先地位”。

（来源：编译自 chosun）

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