2026年前内存持续短缺：AI算力飙升下的行业预警与应对策略

（来源：快科技）

全球内存市场的供应警报再次拉响。存储巨头美光科技最新预警指出，受人工智能浪潮对HBM、DRAM及NAND产品的需求持续飙升影响，供应短缺的周期预计将延长至2026年以后。

这一预判与机构分析相符。摩根大通报告披露，美光管理层在第54届全球科技、媒体与通信年度大会上确认，当前HBM、NAND与DRAM芯片的产能已全面吃紧，难以匹配AI模型性能跃升所催生的海量需求。

供需失衡加剧的背后，是多重技术因素的叠加效应。

首要因素是芯片代际性能升级的节奏变化。其次，新一代HBM芯片的裸片尺寸增大，直接占用了更多晶圆产能。此外，DRAM制造中EUV光刻工艺的复杂性攀升，也拖慢了产能的爬坡速度。

为突破瓶颈，产业正推动技术快速迭代。美光将其1γ工艺节点定位为史上晶圆产出最高的DRAM制程，目前正全力加速在该节点中集成EUV光刻技术，以释放产能潜力。

在需求最紧迫的HBM产品线上，进展更为显著。美光预计，其HBM4的产能提升速度将达到HBM3世代的两倍。而规划中的HBM4E内存已定于2027年量产，首批样品将采用基于1γ工艺的DRAM模块。

固态硬盘市场同样成为战略焦点。美光正通过高度定制化的SSD方案抢占份额，目前已与客户深度协作，针对AI应用特有的长上下文窗口与持续增长的推理负载进行优化，旨在以定制产品取代通用解决方案。

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