全球 DRAM 市场供需持续偏紧，短缺涨价态势或将延续数年

全球DRAM市场供应持续吃紧，价格上行周期或延伸至2027年

当前，全球动态随机存取存储器（DRAM）市场正经历结构性供应短缺，价格呈现强劲上涨趋势。这一局面主要由产能扩张受限与人工智能驱动的高带宽内存（HBM）需求爆发共同导致。行业分析普遍认为，内存芯片的紧缺态势预计将延续至2027年，市场供需平衡可能在2028年之后才逐步实现。

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产能增长滞后，结构性缺口难以快速闭合

全球DRAM市场呈现高度集中的格局，三星电子、SK海力士与美光科技三大供应商合计占据约90%的市场份额，同时也是HBM量产的核心主导者。然而，受限于晶圆供应、新厂建设周期及先进制程良率爬坡等因素，头部厂商的产能扩张步伐相对审慎。现有扩产计划仅能应对约60%的市场需求。若要有效缓解短缺，行业需要在2027年前实现年均12%的产能增速，但当前实际增速仅为7.5%，供需缺口短期内难以弥合。

头部厂商产能规划：时间窗口成为关键制约

从具体产能布局来看，供应紧张的局面在中期内将持续。三星电子位于韩国平泽的第四座晶圆厂虽计划年内启用，但其全面量产时间已推迟至2027年及以后。该厂需同时兼顾逻辑芯片生产，客观上限制了内存产能的释放。其规划中的第五座工厂专注于HBM生产，预计投产时间将在2028年之后。

SK海力士方面，其清州HBM工厂已于今年2月投产，成为本年度市场新增供应的主要来源。龙仁新厂建设正在加速，目标于2027年2月竣工。美光科技则计划于2027年在美国爱达荷州与新加坡启动HBM生产，其在日本广岛的新厂瞄准2028年量产。通过收购获得的工厂产能预计在2027年下半年才能投放市场。基于上述时间表，业内评估指出，AI专用内存的供应紧张态势甚至可能延续至2030年。

HBM需求激增与制造成本上行双重挤压

市场需求端与成本端同时承压。人工智能产业的快速发展持续推高HBM需求。面对这一高利润领域，三大厂商均将核心资源向AI内存倾斜，导致通用DRAM的扩产进程放缓。自2025年秋季起，通用内存供应开始明显趋紧。价格层面，今年第一季度内存合约价环比涨幅预计接近90%。

同时，地缘政治动荡推高了电力与原材料成本，加剧了供应链的不确定性，为本已紧张的市场环境增添了额外变数。

产业链传导效应：下游终端承压明显

上游供应短缺与价格暴涨已迅速传导至下游终端产业。目前，全球80%-90%的内存芯片应用于个人电脑、智能手机及服务器领域，其余部分用于汽车与工业设备。内存价格大幅上涨直接推高了终端产品的物料成本。以入门级智能手机为例，其内存成本占比预计将从当前的约20%攀升至今年年中的近40%，严重侵蚀终端制造商的利润空间。

为应对成本压力，手机厂商可能被迫调整生产计划。汽车零部件企业同样面临内存供应不足的挑战。整个电子产业链正深切感受到DRAM市场波动带来的冲击。