联发科2027量产AI芯片，采用英特尔EMIB-T封装

从去年下半年起，芯片设计领域出现了一个清晰转向——多家厂商开始评估英特尔EMIB先进封装技术，规划“前段晶圆代工台积电，后段封装英特尔”的分工模式。台积电CoWoS等先进封装产能持续紧张，扩产节奏远落后于订单增长，迫使设计公司寻求替代方案。

联发科近期的表态证实了这一趋势。据Wccftech报道，联发科官方宣布下一代芯片将采用英特尔EMIB-T封装，计划2026年第四季度流片，2027年第四季度量产。目前尚未披露具体产品线，推测可能涵盖定制AI加速器或移动SoC。

传闻显示，联发科正在扩充供应商体系以匹配EMIB-T封装产能需求。对英特尔代工服务（IFS）而言，这是具有里程碑意义的客户突破。过去数月，供应链多次传出谷歌计划在2027年发布的TPU v9上采用EMIB封装。联发科作为谷歌定制TPU的长期合作伙伴，很可能共同参与了英特尔封装方案的评估与验证。

EMIB与EMIB-T核心技术深度解析

EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）是英特尔推出的首款2.5D嵌入式桥接方案，2017年即实现商业化出货。其核心在于利用微型嵌入式硅桥在封装内连接多个小芯片（chiplet），取代传统大型硅中介层，从而降低封装尺寸与成本，同时提升设计灵活性。

EMIB-T是EMIB的增强版本，重点优化了两个维度：封装供电效率与die间通信速率。传统EMIB采用悬臂式供电路径，导致较高的电压降（IR drop）。EMIB-T在封装底部引入硅通孔（TSV），使电流直接通过TSV桥接为芯片供电，形成低阻抗路径。这一设计对HBM4/4E集成至关重要。同时，TSV也提升了芯片间带宽，结合UCIe-A互连，可实现32Gb/s以上的数据传输速率。

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