三星HBM4E芯片测评：性能较HBM4提升超20%样品出货

三星电子于本周五正式宣布，启动下一代高带宽内存（HBM）芯片——12层HBM4E样品的交付，并强调这是全球首款实现出货的同层级产品。

当前AI服务器与高端处理器对顶级内存芯片的需求持续飙升，AMD、英伟达、谷歌等头部AI企业均位列三星客户名单。此前三星已在业界率先完成HBM4的大规模量产与商业出货，如今迅速跟进HBM4E样品，核心目标是匹配AI计算与超大规模基础设施对存储带宽的急速增长需求。

技术规格上，HBM4E的引脚传输速率稳定达到14 Gbps，并可扩展至16 Gbps，数据处理能力显著提升。与HBM4相比，性能跃升超过20%，单个堆栈的内存带宽达到3.6 TB/s——这对大型语言模型与下一代AI系统而言，相当于为计算性能直接加装涡轮增压。

容量层面，12层HBM4E提供48GB，较上一代增加逾30%。同时三星计划按客户需求扩充产品线，32GB（8层）与64GB（16层）配置已列入路线图。

值得关注的是，三星在HBM4E的存储阵列与逻辑架构上进行了设计与工艺优化，性能、能效与良率均有改善。具体而言，先进低功耗设计配合优化封装结构，使能效比提升16%，热阻特性改善14%以上。这意味着散热效率更高，在下一代高负载数据中心内，既能维持更长的可靠性周期，也能有效降低运营能耗。

三星表示，完成首批样品交付与优化后，将依据客户的量产时间表启动HBM4E的批量生产。回看这轮HBM竞赛，各家节奏明显在加速。

来源：互联网