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三星2026年5月量产HBM4E内存样品，单引脚16Gb
摘要
三星电子将于2026年5月启动HBM4E高带宽内存的首批性能样品量产，为2027至2028年间的规模化商
三星电子将于2026年5月启动HBM4E高带宽内存的首批性能样品量产，为2027至2028年间的规模化商业供货铺平道路。
在今年3月的全球人工智能技术大会上，三星首次公开展示了其HBM4E内存原型。该原型实现了单引脚16Gbps的数据传输速率，理论总带宽高达4.0TB/s。此次展示主要验证了其技术路径的可行性，而后续的工程化与量产准备，则是更为关键的挑战。
HBM4E将采用1c纳米节点的DRAM裸片与4纳米节点的基底裸片进行堆叠，并针对互连架构、散热方案及信号完整性等核心工艺进行系统性优化。
此次迭代的核心在于堆叠技术的全面演进。HBM4E计划采用1c纳米DRAM裸片与4纳米基底裸片进行三维集成。这一组合不仅涉及制程节点的推进，更要求在互连密度、热耗散效率以及信号传输质量等决定最终性能与可靠性的底层架构上，实现同步突破。这些工艺优化是达成下一代高带宽、高稳定性内存解决方案的技术前提。
来源：互联网
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