三星电子泰勒逻辑厂开始调试光刻机 平泽DRAM厂已下设备订单

三星半导体提速扩产，全力押注AI驱动的高性能芯片需求

免费影视、动漫、音乐、游戏、小说资源长期稳定更新！ 👉 点此立即查看 👈

冲刺2nm：三星泰勒工厂进入全面测试阶段

在先进逻辑芯片领域，三星的动作极具指向性。根据韩媒 edaily 报道，其位于美国德州泰勒的2nm制程晶圆厂已启动试运行。核心的 **EUV光刻机校准与工艺验证正在进行**，刻蚀、薄膜沉积等关键制程设备也同步导入产线。这一系列部署旨在确保工厂在年内实现初步投片，并为2027年达到规划产能完成所有基础设施准备。

加码HBM产能：平泽P4工厂集群加速设备投资

存储芯片方面，三星正在抢占下一代高带宽内存的技术制高点。ZDNET Korea 报道指出，三星已于三月末为平泽P4工厂集群的PH2与PH4产线下达大规模前端设备订单。这两条产线将专门用于制造支撑HBM4、HBM4E及未来HBM5标准的 **1c纳米级DRAM核心晶粒**。此项投资实质上是为满足远期AI算力对超高带宽存储的刚性需求进行产能布局。

当前平泽P4的建设进度如下：PH1产线投资已收官；PH3产线设备安装接近完成，预计年内可实现月产能13,000至14,000片晶圆。剩余的PH4产线进度领先，设备将于五至六月间开始搬入；PH2产线的洁净室工程已启动，设备安装计划于十一月展开，整体建设目标在2027年2月完成。

三星在逻辑与存储两大半导体战线的同步扩产，是对AI基础设施市场需求的前瞻性回应。从德州泰勒的2nm前沿制程到韩国平泽的HBM专用产线，这些产能投资将在未来数年内显著影响全球高端芯片的供应链格局与竞争态势。