最新爆料显示,高通的下一代旗舰移动平台将迎来关键的工艺升级。根据知名数码博主披露,骁龙8 Elite Gen6将首次采用台积电2nm制程工艺,
最新爆料显示,高通的下一代旗舰移动平台将迎来关键的工艺升级。根据知名数码博主披露,骁龙8 Elite Gen6将首次采用台积电2nm制程工艺,这也标志着高通旗下首款使用2nm工艺的手机芯片正式亮相。

除了制程上的突破,这款芯片在存储规格方面也实现了全面升级。据悉,骁龙8 Elite Gen6将最高支持LPDDR6内存与UFS 5.0闪存的组合,如此顶级的硬件配置堪称旗舰级性能标杆。
然而,尖端技术背后往往伴随着显著的成本压力。行业报告指出,台积电2nm晶圆的代工报价约为每片3万美元,相比当前3nm工艺2.5万至2.7万美元的均价,涨幅达到10%-20%。作为芯片核心成本的重要组成部分,晶圆代工价格的上涨直接推高了骁龙8 Elite Gen6的整体成本,就连爆料博主都坦言“顶配旗舰的价格我都不敢想”。

芯片成本的上涨将直接影响终端产品的定价策略。消息人士透露,受骁龙8 Elite Gen6成本攀升的影响,明年下半年的安卓旗舰机型可能会调整配置方案,不再全系标配Elite级别芯片。预计在新的产品布局中,标准版旗舰将搭载基础版骁龙8 Gen6,而Pro版或Ultra版旗舰才会配备规格更高的骁龙8 Elite Gen6,通过配置分层来平衡成本与定价。
更令人关注的是,存储芯片市场的价格上涨周期已经正式开启。据了解,三星电子与SK海力士两大存储巨头已在第四季度上调DRAM和NAND闪存价格,最高涨幅达30%,新的价格体系已开始向终端客户传导。这一举措是存储厂商针对当前市场供需失衡的应对,而对于手机行业而言,存储芯片作为核心零部件之一,其价格上涨将进一步增加终端产品的成本压力。
芯片与存储两大核心零部件同时涨价,意味着明年的旗舰级手机将面临双重成本压力,终端定价上涨几乎已成定局。从目前的行业趋势来看,骁龙8 Elite Gen6的2nm工艺升级、存储芯片的涨价潮,叠加可能的配置分档策略,明年的顶配旗舰手机价格有望再创新高。对于追求顶级配置的用户而言,明年选择旗舰机可能需要做好增加预算的心理准备。
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