美光探路垂直堆叠GDDR,在HBM与标准内存间开辟新战场 据韩媒ETNEWS报道,美光正推进一项关
据韩媒ETNEWS报道,美光正推进一项关键研发项目:实现GDDR内存的垂直堆叠技术。该项目原型预计最早于2027年亮相,其目标明确——在传统平面GDDR与高带宽内存(HBM)之间,建立一个全新的性能与成本平衡点。
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在AI加速领域,HBM虽是高频焦点,但GDDR凭借其成熟的制程与显著的成本优势,已在专业图形及AI推理市场筑起稳固阵地。无论是英伟达RTX PRO系列工作站显卡,抑或部分专用AI芯片架构,GDDR都是核心存储器的重要选项。即便在已暂停的Rubin CPX项目早期规划中,GDDR也位列其内存配置的考量范围。
当前AI推理市场的多样化需求,正驱动内存技术路线走向分化。不同应用场景对带宽、容量及总拥有成本提出了差异化的要求。美光此时布局垂直堆叠GDDR,旨在精准切入一个高容量、适中带宽且更具成本效益的市场空位。这不仅是内存厂商技术储备的体现,更可能成为其角逐下一阶段AI硬件生态的关键筹码,为系统设计者提供了一个介于标准GDDR与HBM之间的新选择。
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